大家來聊聊~-儀器設備

歲修復機~ 開始委託分析!!

Mon, 16 Nov 2009 10:35:22 +0800

由於10/31-11/6 歲修，故所有的機台在這段期間都是停機的狀態。
而所有的機台已於11/9 開始復機，但由於各機台的設備條件不同，所以復機所需的時間也有所不同。
於11/16 各機台已完成復機，且開始進行委託分析。
若各位同學有需要做量測分析，可至對外服務系系統塡寫委託申請單or上網預約自行操作時段。
若還有問題，請與各機台工程師連絡，謝謝。

2009 NM-Lab各機台歲修停機時間表

Thu, 29 Oct 2009 15:59:25 +0800

奈米元件材料分析組配合98年度廠務各系統年度保養，時間為98年10月31日至11月6日。
影響機台如下：

機台編號	機台名稱	停機時間	預計開放時間
NM-001	場發射掃描式電子顯微鏡 (FESEM)	10/30 16:00	11/9 17:00
NM-002	大試片掃描探針顯微鏡 (D5000)	10/30 17:00	11/6 17:00
NM-003	多功能掃描探針顯微鏡 (MMAFM)	10/30 17:00	11/6 17:00
NM-004	歐傑電子顯微鏡 (AES)	10/30 16:00	11/13 17:00
NM-005	離子減薄機 (PIPS)	10/30 16:00	11/6 17:00
NM-006	場發射穿透式電子顯微鏡 (TEM)	10/30 16:00	11/13 17:00
NM-007	原子力顯微鏡系統 (C-AFM)	10/30 17:00	11/6 17:00
NM-008	X光繞射儀 (XRD)	10/30 16:00	11/9 17:00
NM-009	熱場發射掃描式電子顯微鏡 (TFSEM)	10/30 16:00	11/9 17:00
NM-010	試片製備	10/30 17:00	11/6 17:00
NM-011	低溫強磁場系統 (LTHM VTI)	10/30 17:00	11/6 17:00
NM-012	傅氏紅外線光譜儀 (FTIR)	10/30 17:00	11/6 17:00
NM-013	二次離子質譜儀 (SIMS)	10/30 16:00	11/9 17:00

SIMS 二次離子質譜儀對外開放委託服務

Wed, 06 May 2009 13:13:00 +0800

SIMS 二次離子質譜儀委託服務：
一、學界收費以小時計，一小時新台幣5000元。
二、業界收費以單位計，一單位新台幣11000元。
三、一次送件以四片為上限。單一元素分析以六片為上限。
四、目前開放（1）SIMS縱深分析與（2）SIMS表面能譜分析。

NM Lab 儀器自行操作考核辦法

Tue, 23 Dec 2008 15:28:49 +0800

一、可自行操作的儀器：
     1、場發射掃描式電子顯微鏡 (FESEM)           2、大試片掃描探針顯微鏡 (D5000)
     3、多功能掃描探針顯微鏡 (MMAFM)              4、離子減薄機 (PIPS)
     5、原子力顯微鏡系統 (C-AFM)                     6、X光繞射儀 (XRD)
     7、熱場發射掃描式電子顯微鏡 (TFSEM)        8、試片製備室
     9、場發射穿透式電子顯微鏡 (TEM)

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2008 NM-Lab各機台歲修停機時間表

Fri, 17 Oct 2008 10:07:21 +0800

機台編號	機台名稱	停機時間	復機時間
NM-001	場發射掃描式電子顯微鏡 (FESEM)	10/17 15：00	10/24 15：00
NM-002	大試片掃描探針顯微鏡 (D5000)	10/17 15：00	10/21 09：00
NM-003	多功能掃描探針顯微鏡 (MMAFM)	10/17 15：00	10/21 09：00
NM-004	歐傑電子顯微鏡 (AES)	10/17 15：00	10/23 09：00
NM-005	離子減薄機 (PIPS)	10/17 15：00	10/21 09：00
NM-006	場發射穿透式電子顯微鏡 (TEM)	10/17 15：00	11/03 09：00
NM-007	原子力顯微鏡系統 (C-AFM)	10/17 15：00	10/21 09：00
NM-008	X光繞射儀 (XRD)	10/17 15：00	10/24 15：00
NM-009	熱場發射掃描式電子顯微鏡 (TFSEM)	10/17 15：00	10/24 15：00
NM-010	試片製備室	10/17 15：00	10/21 09：00
NM-011	低溫強磁場系統 (LTHM VTI)	10/17 15：00	10/20 09：00
NM-012	傅氏紅外線光譜儀 (FTIR)	10/17 15：00	10/24 15：00

X光繞射儀(X-ray Diffraction)

Wed, 30 Apr 2008 15:00:14 +0800

X光繞射儀
      電磁波X光的波長範圍為10^-2～10²埃，其與原子尺度相同。
      利用特性X光入射至晶體，晶體是由原子或原子團在空間中以規則排列而成的固體，會被原子散射，當存在某種相位關係(相位差)兩個或兩個以上散射波相互疊加後，就會產生繞射現象。
      X光繞射儀就是利用偵測器收集繞射訊號強度，得到待測樣品的繞射圖譜(Diffraction Pattern) ，此繞射圖譜一般來說是以繞射強度對繞射角作圖，將此繞射圖譜經過結晶面標定過程後，便可得到待測樣品的結晶結構。

二次離子質譜儀SIMS

Wed, 16 Apr 2008 14:21:58 +0800

二次離子質譜儀
用高能量之離子束撞擊試片, 試片本身被撞出之離子用固定電場將之加速向前導入質譜儀中, 質譜儀再將不同質荷比之離子分開並計量各離子之強度, 因為能偵測到極低濃度之離子(大概可偵測到ppm~ppb的濃度), 也被稱為最有力的"微量"分析工具. 因為激發源為離子束, 試片被撞擊出的亦是離子束, 為了區別, 故以一次二次稱之. 主要供分析作圖者為試片中被撞擊而出的二次離子.

歐傑電子Auger

Wed, 09 Apr 2008 15:29:53 +0800

     歐傑電子在1925年時, 為法國物理學家皮爾歐傑(Pierr Auger)所發現，因此以其名稱之。
    主要利用電子束作為激發源，當原子的內層電子受激發而脫離原子時，使外層能階電子填補內層電子所產生的電洞，而釋出能量；被釋出的能量可能以X光的形式釋出，或者進而將釋出的能量傳輸給同原子層或外層能階電子，造成接受能量電子的激發游離，而最後這游離的電子則稱為歐傑電子。
    歐傑電子顯微鏡可分析材料表面5 nm深度之元素成份，由於歐傑電子的形成需有兩個電子能階軌域及三個電子，因此 H 及 He 兩元素無法產生歐傑電子，常應用的分析方法為縱深成份分析、表面成像分析及表面線分析等。近年來AES已普遍應用非常廣，如半導體、封裝、印刷電路板、硬碟片、LED、冶金、觸媒、腐蝕、玻璃、薄膜材料、合金材料、界面成分等分析，成為一種最有效的表面成份分析儀器。