August 2,2007
核能研究所III-V族太陽電池研發概況( 一 )

圖一:計畫目標與時程規劃(摘自專案計畫書)
原子能委員會核能研究所早期曾從事矽基太陽電池的研發,後來進行III-V族光電元件磊晶成長、元件製作與封裝測試等工作,同時在III-V族半導體雷射及光敏二極體也有相當基礎,因而累積不少III-V族太陽電池相關人才ヽ設備與經驗。
民國九十二年起,核研所開始推動能源技術發展科技發展專案五年計畫,將III-V族太陽電池列入研發項目,正式將台灣帶入此種新興科技領域,也引發國內一些LED光電廠商加入行列,共同參與與開發產品。
一ヽ目標與時程規劃
根據專案計畫書的內容,核研所的第一個五年計畫,目標與時程規劃如(圖一),將開發效率達35% 的堆疊式太陽電池,250倍聚光器,建立性能量測實驗室,以及完成模組組裝與示範性發電系統。
民國九十七年度開始的第二期五年計畫,將建立太陽電池量產技術,並提升效率至45%,同時進行模組量產與建立3 kW發電系統,以及開發低價基板材料等新技術。
二ヽ工作項目與內容
原訂民國九十二年至九十六年的分年工作項目與內容整理如表一,太陽電池效率將逐年提高,模組組件也將持續開發完成,並進行產品性能的相關測試與驗證。
表一:工作項目與內容(整理自專案計畫書)
年度 | 工 作 項 目 與 內 容 |
| 92 | n 進行InGaP及GaAs單一接面太陽電池研製,以獲得最佳磊晶層結構、厚度與摻雜等參數。n 建立太陽電池特性量測系統,量測短路電流、開路電壓、能量轉換效率,與填充因數 (Fill Factor) 等特性。n 進行電池正面電極圖樣設計,使串聯電阻與遮光率取得最佳平衡。n 建立太陽電池電極電鍍設備與技術,以改善串聯電阻。 |
| 93 | n 結合InGaP及GaAs單一接面電池製作結果,進行InGaP/GaAs雙接面堆疊式太陽電池雛型研製,以達到效率20%以上為目標。n 建立MgF2/ZnS雙層抗反射鍍膜技術。n 完成太陽光模擬器之建立,以1~500 sun為目標。 |
| 94 | n 進行多接面堆疊式太陽電池研製,效率達到25%。n 完成聚光器透鏡設計與製作。n 完成聚光模組冷卻系統設計與製作。 |
| 95 | n 完成多接面堆疊式太陽電池製作,效率達到30%。n 建立太陽電池封裝技術。n 完成聚光型太陽電池模組設計與雛型製作。n 進行太陽電池應用推廣。 |
| 96 | n 完成多接面堆疊式太陽電池製作技術精進,提昇效率達35%以上。n 完成聚光型太陽電池模組製作與改良。n 完成產品驗證與推廣。 |
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